ORGANİK ELEKTRONİK
ARAŞTIRMA GRUBU

Organik Transistörler


         Son on yıl içersinde organik yarı iletkenlerin kullanıldığı ince film transistörlerinin (TFT) geliştirilmesi üzerinde çok önemli çalışmalar yapılmıştır. Organik transistör, aktif malzeme olarak silikondan ziyade moleküllerin kullanıldığı transistördür.  Bu aktif malzemeler çeşitli moleküllerden oluşabilir. Farklı araştırma grupları organik TFT kullanarak enetegre devre, aktif matrix ekran ve gaz sensörü yapmışlardır. Organik TFT malzemeler, amorf silikon teknolojisinin gereksinimlerinden daha düşük sıcaklıklarda üretilebildiği ve esneklik özelliğine sahip olmasından dolayı kullanılır.

Organik TFT’nin avantajları;

  • Plastik madde ile uyumlu olması,

  • Düşük sıcaklıklarda üretilebilmesi (600C ve 120 0C),

  • Maliyeti düşük olan spin-coating, printing, evaporation gibi yöntemler kullanılması

  • Elekronik uygulamalarda geniş bir alana sahip olması

Dezavantajları;

  • Silikon wafer’a kıyasla mobilite ve switching speed daha düşüktür

  • Genellikle tersinir mod altında çalışmaz

     Yarıiletken polimerler son yıllarda organik elektroniğin; organik fotovoltaik hücreler (OPV), organik ışık soğuran diyot (OLED) ve organik alan etkili transistörler (OFET) alanlarında kullanılmalarından dolayı ilgi kazanmıştır. Bu polimerler arasında regioregular poly(3-hexylthiophene) (rr-P3HT) sahip olduğu çözünebilirlik, uygulanabilirlik, kimyasal kararlılık ve mükemmel elektrik özelliklerinden dolayı geniş bir alanda incelenir. OFET ile ilgili olarak, P3HT  yüksek hole mobilitesi ile çözelti uygulanabilirliği olan en umut verici malzemelerden biridir.

      Transistörlerdeki performansı belirleyen üç önemli parametre vardır. Bunlardan ilki, transistörün açık ve kapalı olduğu durumlardaki akım şiddetinin oranıdır. Bu parametrenin büyük olması transistörün devreden geçen akımı etkili bir şekilde kontrol ettiğini gösterir. İkinci parametre ise iletkenliği sağlayan elektronun ya da boşluğun belirli bir magnetik alandaki hareketliliğidir (field effect mobility). Elektronların hareketliliği, boşluğa(hole) göre daha fazladır, bu da n-tipi yarı iletkenlerde iletkenliğin p-tipi yarı iletkenlere göre daha fazla olmasını sağlamaktadır. N-tipi yarı iletkenlerdeki en büyük problem ise havadaki kararlılıktır. Elektron ilgisi yüksek n-tipi organik bileşiklerde LUMO enerji seviyesi düşük enerjilidir. Elektron ilgisi en az 3.0 eV olması gerekirken, 4.0 eV u da geçmemesi önemlidir. Üst limit bileşiğin kararlılığı açısından önemlidir, yoksa elektrofilik organik bileşikten oluşan transistor kısa sürede havadaki nem ve oksijen ile reaksiyona girecektir. Bu durumu engellemek için önemli çözümlerden bir tanesi ise, transistörlerdeki organik tabakada florlu bileşikler kullanıp, gaz difüzyonuna karşı kinetik bir bariyer oluşturmaktır. Bu şekilde kullanımış bileşikler vardır. Üçüncü önemli parameter ise VT (Threshold voltage) dir. Aktif matrix ince ekranlarda (laptop ekranı gibi) her pikseli kapatıp açmak için (switching) amorf silikonun kullanıldığı TFT lerde organik materyallerin kullanılması ve performansın daha da artırılması amaçlanmaktadır.

| Ana Sayfa | Uygulamalar | Organik Güneş Pilleri | OLED | Elektrokromik Cihazlar | Holografi | Organik Transistörler | Grup Çalışanları | Linkler | Projeler | Laboratuarlar | Haberler |
| Araştırmalar | İletken Polimerler | Non-Lineer Optik | Korozyon | Dielektrik Spektroskopisi | İn Situ ESR | Işık Saçılması | Yayınlar | İletişim Sıvı Kristaller  | Yapay Sinir Ağları | English
Copyright © 2008 GYTE. Organik Elektronik Araştırma Grubu. Tüm Hakları Saklıdır...   Site Yöneticisi (admin) : ahmetdemir@gyte.edu.tr